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半导体集成电路制造的重要设备之一,主要用于POLY,D-POLY,SiN,TEOS。LPCVDequipmentisoneoftheimportantequipmentsforsemiconducto
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1721 | 山东 |
功能特点检测效率高检测效率高,工件无需翻转即可完成正反面检测多种上料方式多种上料方式,可在不同型号之间快速切换,一台设备能够满足多种类型工件的检测,解决了同类产品中一台设备只能检测一种类型工件的难题;
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1339 | 深圳 |
采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定Theverticalstructureisadopted,theprocessiswellcontrolled,thetemperaturedistr
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1450 | 山东 |
愿景创新改变生活理念客户的成功才是我们真正的成功精神求真、求新、求发展价值观敢于创新惠及社会,以用户为中心
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1390 | 深圳 |
汽车零部件外观缺陷光学自动检测设备主要用于检测汽车发动机,变速箱及传动系统中核心零部件;可360〬全方位检测工件各部位全类别外观缺陷。检测速度达到国内**水平,*快检测速度可达2万件/小时,相当于2至
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1742 | 深圳 |
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺,可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,N2O,NO,NO2或湿法氧化,采用无金属加热和真空装备。
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1348 | 山东 |
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。晶片尺寸:6/8英寸Wafersize:6/8inchesウェハーサ
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1333 | 山东 |
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。氧化工艺:主要用于初始氧化层、栅氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制
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1417 | 山东 |
清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节,用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质,避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤的30%以上,是所有芯
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1165 | 深圳 |
返回顶部撕裂强度高,可提供在半导体晶圆间的保护表面平滑且不易掉屑,可防止微粒脱落造成刮擦损伤产品经防静电处理,可最大程度地降低静电释放风险
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1191 | 深圳 |
本着半导体包装材料国产化的思想,公司配备专业的研发团队,自主研发及研究成果50多项,针对晶圆厂、FAB厂、测试厂、封装厂不同的产品,开发不同的包装产品及方案。
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1400 | 深圳 |
晶圆储运盒Wafershippingbox序号品名型号规格尺寸Spec&size材料包装ItemDescriptionModelmaterialpackage12”晶圆储运盒WSP-160-6
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1075 | 深圳 |
KMGA740高速红外测温仪KMGA740是一款超高速测温仪.响应时间最快达到10μs,测温范围160…3500℃.KMGA740可根据测量目标的大小,工作距离,选择变焦镜头或者微距镜头.KMGA74
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1553 | 德国 |
产品特点:相较同类产品具有更高的测温精度和重复性可直观显示当前的测试焦距,实现精准对焦;可以双色测温亦可以单色测温可与PC通讯实现内部参数的调整及在线测量功能可选特殊的矩形光斑镜头,方便线材和浇注流测
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1617 | 德国 |
图片展示产品描述MCS640红外热像仪MCS640红外热像仪是一款非制冷短波热成像仪.可实现600-1600℃或者800-3000℃范围内的连续测温.MCS640红外热像仪有5种波段选择,可满足工业上
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1629 | 美国 |
图片展示产品描述热像仪主要特点:中波透火焰波段、非制冷焦平面热像仪;主要用于锅炉、熔炉、窑炉、焚烧炉的炉壁温度检测和监测;热像仪技术参数BoilerSpection温度范围500to1600°C;波长
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1407 | 美国 |
炉膛红外热成像系统用于移动测量,因采用了特殊的中红外波段故可以透过火焰测量。这种*的特性意味着其可以在锅炉、熔炉、烧窑或焚化炉中提供清晰、稳定的透火焰测量图像。炉膛红外热成像系统主要特点采用特殊的中红
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1769 | 进口 |
LumasenseImpacIGAR6SIC单晶炉测温仪具有极为宽范的测温范围100-2800℃,可以在整个工艺温度范围内使用单一的测量仪器对单晶炉进行准确控温,减少了低温下对接触测温的依赖.Luma
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1580 | 进口 |
物料高效输送的核心,离不开一套设计科学合理的密相气力输送系统设备。本文分享一下系统所包含的各关键设备、以及在整个输送系统中发挥的重要作用。一、发送罐,是物料的储存和发送装置。鑫北方气力输送仓泵采用优质
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736 | 山东省济南市 |
衬底参数掺杂:Fe晶面:(010)双晶摇摆半高宽:≤350“尺寸:5mm×5mm尺寸偏差:<±0.3mm厚度偏差:<±0.05mm产品参数外延片参数第1层厚度:250-350nm第2层厚度
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1480 | 浙江 |
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