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日本伊藤itoh进口碳化硅球SiC-97%日本伊藤碳化硅球(SiC-97%等)碳化硅硬度:HV2,100真实密度:3.10尺寸:p3，φ5，φ10mm·φ3mm碳化硅球除了现有的2种尺寸外，还增加了新
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1872 | 日本 |
日本itoh伊藤进口研磨氧化锆球ZrO2-95%日本itoh伊藤进口研磨氧化锆球ZrO2-95%日本itoh伊藤氧化锆球(Zr02-95%)适用于粉碎和分散不喜欢混合SIO2和Al203组分的球。对于
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1545 | 日本 |
6&8时过渡件产品介绍：连接反应腔室和进气石英管，作为外延生长所需工艺气体的传输通道适用机型：SiC外延水平6时&8时机台
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1047 | 北京 |
产品参数基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：β-SiC(厚度=100±10μm)特点：致密度高，耐高温耐腐蚀，涂层结合力强
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1005 | 北京 |
日本kongou-ki鼓式滚筒搅拌机DMHS-200S日本kongou-ki鼓式滚筒搅拌机DMHS-200S
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1011 | 日本 |
产品介绍：可放置8时、12时硅衬底，用于生长硅基半导体用器件适用机型：Epsilon2000等同系列机台产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：β-SiC(厚度=100±10μm)特点：致
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1031 | 北京 |
产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：β-SiC(厚度=100±10μm)特点：致密度高，耐高温耐腐蚀，涂层结合力强使用寿命：和进口同款产品相当产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6
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1053 | 北京 |
产品介绍：提高洁净的刻蚀环境，保证刻蚀精度和质量，用于晶圆刻蚀工艺适用机型：第三代半导体刻蚀机产品参数：基材：CVDSiC(纯度>6N)特点：纯度高，耐腐蚀，高强度，化学性能稳定
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1135 | 北京 |
石灰窑（石灰煅烧窑）是用于将石灰石（主要成分为碳酸钙，CaCO₃）加热分解，生成生石灰（氧化钙，CaO）和二氧化碳（CO₂）的工业设备。其核心原理是通过高温煅烧实现碳酸钙的热分解反应。工作原理：倾斜的
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2948 | 河南 |
产品介绍：放置36片4时蓝宝石衬底，用于生长LED用蓝绿光外延片适用机型：PRISMOA7产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：B-SiC(厚度=110±10μm)特点：致密度高，耐高温
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1123 | 北京 |
产品介绍:放置41片4时蓝宝石衬底，用于生长LED用蓝绿光外延片适用机型：PRISMOUniMaxA8产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：B-SiC(厚度=100士10μm)
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1014 | 北京 |
美国Admix台式预混分散搅拌机CX美国Admix台式预混分散搅拌机CXDiafMinibatchCX（之前称为20VH）台式分散器在高效处理4加仑/15升（约合批量含量）的预混合、分散和最终处理方面
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1081 | 日本 |
产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：B-SiC(厚度=110士10μm)
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854 | 北京 |
产品介绍：放置2时蓝宝石衬底，用于生长深紫外LED的外延片适用机型：AIXCCS产品参数：基材：等静压石墨(纯度>6N)涂层：B-SiC(厚度=110±10um)特点：致密度高，耐高温耐腐蚀，涂
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963 | 北京 |
日本kongou-ki紧凑型混音搅拌器TumblerMini日本kongou-ki紧凑型混音搅拌器TumblerMini
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1013 | 日本 |
产品介绍：用于6吋&8时的SiC晶体生长，减少晶体缺陷适用机型：第三代半导体SiC长晶炉
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888 | 北京 |
日本mkn移动型搅拌粉体混合机TMLC-05S日本mkn移动型搅拌粉体混合机TMLC-05S
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1023 | 日本 |
日本mkn进口粉体用圆形振动筛FS系列日本mkn进口粉体用圆形振动筛FS系列
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1450 | 日本 |
产品介绍JL-3000型喷雾激光粒度仪（分体式），采用全量程米氏散射理论和精新公司专有技术，推算出被测颗粒的粒径分布。不锈钢机箱外壳全密封设计，防尘防水，具有良好的电磁屏蔽抗干扰性能。主机与辅机之间可
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2643 | 四川 |
日本kongou-ki旋转式搅拌机TMH-65S可拆卸容器的旋转式搅拌机市販容器対応滚筒式混合器可直接使用20L至最大100L的市售SUS罐或滚筒进行混合。由于使用密闭容器，所以不用担心污染。容器的可
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1144 | 日本 |
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