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立拓LITAL™-99是一种以高纯度α-氧化铝材料为原料不添加任何助烧剂的情况下，在大约1900℃高温快速烧结，并完全致密的烧结刚玉。板状烧结刚玉具有明显的、发育良好的α-氧化铝板状晶体结构，晶体发育

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采用高性能的扩散硅压力敏感芯体或薄膜压力敏感芯体，将压力信号转换成电信号。再经过调理电路将信号放大再进行温度补偿，处理成标准信号。通过特殊的抗振耐冲击结构封装技术制作而成。

测量范围：0～2kPa～40MPa正向过压：200%FS负向过压：100%FS工作温度：-40℃～85℃可拓输入电压：10VDC～36VDC输出：4mA～20mA/1V～5V准确度：0.2%FS绝缘电

采用小尺寸超稳定扩散硅压力芯体作感压元件，采用高可靠地信号调理电路，通过不锈钢结构一体式封装。温度范围：-40℃～125℃测压范围：0～3.5MPa（量程可选）精度：0.2%FS热零点漂移：≤0.02

利用半导体材料压阻效应原理，采用先进的离子注入工艺和微机械加工工艺，制成了具有惠斯顿电桥和精密力学结构的硅敏感元件，结合半导体封装工艺制作而成的一体化压力感测元件。宽温区的隔离封装、订制型的接口外形，

利用小型合金薄膜压力敏感芯片，参照工业常规的扩散硅压力敏感芯体的OEM结构，通过电子束焊接不锈钢一体化封装而成。具有外形尺寸小、性能稳定可靠、耐高低温、超长抗压力疲劳能力等优势测量范围：0～1MPa…

合金薄膜敏感芯片通过离子束溅射镀膜技术，在被测介质直接作用的17-4PH、Inconel718、钛合金等材质弹性膜片上依次制备“微米级”的多层薄膜，刻蚀形成惠斯通电桥，基于应变效应，用于压力、温度的可

占地面积小，多种配置选择，为研发用户提供深度定制化方案。生长室·极限真空5E-11Torr·最大3英寸衬底·8个源炉口·可选E-gun系统·衬底最高加热至1200°c·高度客户定制化

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