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PVATePla公司COD型压力烧结炉,可助客户长期稳定获得高品质的硬质合金烧结产品。压力烧结炉在一台设备上将两种技术相结合,这两种技术分别为:真空烧结和烧结部件的热等静压。压力烧结炉除了可以在60巴
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2215 | 北京 |
全自动IC料条打码机ICM-3010系列适合于对切筋前的IC料条进行激光打标,全自动运行。•导轨宽度自动调节,可兼容不同尺寸的多种产品•采用双通道数字控制双头激光打码系统•真空吸取、机械爪等多种取料方
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1464 | 北京 |
数控晶圆倒角机WGM-600/800为晶圆磨边、晶圆倒角的专用设备,利用精密砂轮对晶圆进行研磨整形加工。适用于2″-6″晶圆、4″-8″晶圆可加工T型、R型、RR型等多种边形的晶圆按照设定参数数控自动
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1948 | 北京 |
多功能IC料条打码机ICM-MF3010系列适合于对切筋前的IC料条进行激光打标。全自动运行,卡槽式料盒和堆栈式料盒可任意混用。•卡槽式料盒和堆栈式料盒可任意混用•导轨宽度自动调节,可兼容不同尺寸的多
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1347 | 北京 |
晶圆轮廓仪WEP-150EN/200EN/300EN系列可以非接触自动测定2"-6"、4"-8"、8"-12"晶圆的边缘倒角形状以及切口面倒
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1518 | 北京 |
全自动晶圆磨边机为晶圆倒角、晶圆磨边、键合片晶圆层阶倒角的专用设备,利用精密砂轮对晶圆进行研磨整形加工。适用于2″-6″晶圆、4″-8″晶圆、8″-12″晶圆l全自动12″,4″~8″,2″~6″晶圆
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1494 | 北京 |
采用双面无接触的方式对晶圆进行清洗或蚀刻的专用设备,适用于2"-6"晶圆、4″-8″晶圆、8″-12″晶圆。工艺过程可编程,适应不同工艺需求可对正面及背面同时进行清洗或腐蚀
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1499 | 北京 |
采用单片晶圆湿式工艺设备,适用于2"-6"晶圆、4″-8″晶圆、8″-12″晶圆。工艺过程可编程,适应于晶圆最终清洗、投片前清洗、晶圆刻蚀等不同工艺可对正面及背面同时进行清洗或腐蚀
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1428 | 北京 |
晶圆打码机WM-600/800/1200系列是专业化的晶元激光打码专用设备,适用于2〞-6〞、4〞-8〞、8〞-12〞晶元的硬打标作业。•适用于Si,GaAs,Ge,SiC,GaP,InP,Sapph
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1404 | 北京 |
超洁晶圆打码机WM-SC800SMIF是专业化的全自动晶元激光打码专用设备,分别适用于8〞晶元的软打标作业。
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1371 | 北京 |
超洁晶圆打码机WM-SC1200FOUP是专业化的全自动晶元激光打标专用设备,分别适用于8〞-12〞晶元的WaferMarking作业。•适用于Si,Ge,SiC,GaN,InP,Sapphire,Q
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1490 | 北京 |
晶圆边缘修整Trimming适用于2″~6″、4″~8″、12″晶圆适用于键合片层阶倒角;适用于晶圆片修边及刮边;适用于晶圆边缘去除金属膜层;可选配晶圆厚度检测功能具备SECS/GEM通讯功能;
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1477 | 北京 |
希科半导体科技(苏州)有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片(SiCEpitaxyWafer)的研发与产业化。产品主要用于制造SiCSBD、SiCMOSFET、SiCJFET和S
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1624 | 江苏 |
希科半导体科技(苏州)有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—8英寸碳化硅外延晶片(SiCEpitaxyWafer)的研发与产业化。产品主要用于制造SiCSBD、SiCMOSFET、SiCJFET和S
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1694 | 江苏 |
钢包和转炉滑板铸孔镶嵌用氧化锆环是以高纯氧化锆为主要原料,添加氧化镁、氧化钇、氧化钙等复合稳定剂,采用高速混合造粒机工艺,液压成型的高温烧成制品。所制得的氧化锆耐火材料与传统工艺生产的产品相比,质量稳
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2917 | 浙江 |
精细陶瓷坩埚选用高纯原料,通过注浆成型、干压成型或等静压成型等工艺制备素坯并经高温烧成而制备,材质有Al2O3,质、ZrO2,质、MgO质、Y2O3,质等,可用于金、银或铂金等贵金属的冶炼或回收,也可
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3670 | 浙江 |
997级氧化铝造粒粉是采用高纯高活性氧化铝粉作为原料,造粒粉具有纯度高、烧结性能优异表面抛光效果好等特性,可用于干压和等静压成型工艺,适用于高端结构陶瓷、防弹陶瓷、工程陶瓷、医用陶瓷、半导体行业用陶瓷
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3364 | 浙江 |
超细微粉产品(LISALR系列)为高纯亚微米级a-Al203,极易于低温下烧结达到较高烧结密度,同时实现均匀的微观结构。该系列氧化铝采用特殊的研磨工艺,研磨至原晶粒度尺寸或近原晶粒度尺寸,具有较窄的粒
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2746 | 浙江 |
立飒LISAL™活性氧化铝微粉是采用高纯氧化铝粉在经过不同高温煅烧后,再通过特定的超细研磨工艺生产出来的一种粒度分布不同的活性氧化铝微粉。其纯度高,杂质低,化学稳定性高。活性氧化铝微粉经过煅烧后转化的
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2368 | 江苏 |
立飒LISAL™以工业氧化铝为原料,经过高温充分煅烧,形成晶体稳定的α-Al2O3产品。煅烧氧化铝微粉产品未经极限研磨,仍有部分团聚体存在。立飒LISAL™具有晶型稳定,纯度高、化学稳定性好,高电阻率
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3478 | 浙江 |
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