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化合物晶体材料设备主要应用于：GaAs砷化镓、InP磷化铟、等III-V族化合物晶体材料的生长、合成、脱氧等工艺，可实现VGF/VB工艺联合生长，晶体生长尺寸：2-6英寸。单质晶体材料设备主要应用于高
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1748 | 山东 |
产品参数类型：设备性能指标1结构方式立式2控温点数1-6点3加热炉体内径150-450mm4适用工艺扩散（磷扩、硼扩）、氧化（干氧、合成）、玻璃钝化（GPP）、退火、合金、铝预沉积5工艺温度范围600
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1368 | 山东 |
一．产品概述：水平加热炉体主要应用于：卧式扩散/氧化/退火炉等加热设备上的关键加热部件，根据用户具体工艺要求制作，或按照我公司设计制作，可满足用户的需求。二．产品参数类型：设备性能指标1结构方式水平2
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1519 | 山东 |
一、产品概述：石墨治具是一种利用石墨材料制作的工具，主要用于高温、腐蚀性环境或需要高精度加工的场合。以下是其主要应用领域：半导体分立器件、电子元器件IGBT、冶金、化工、机械、医疗器械、核能、汽车、航
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1842 | 青岛 |
主要用于电力电子、功率半导体器件等行业的陶瓷基板、铜材料、不锈钢器件、可伐材料等产品在气氛保护中进行钎焊、陶瓷金属化等工艺的生产。
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1878 | 山东 |
设备性能指标1工位数1-2管（可依据实际生产工艺设计）2额定温度900℃3工艺温度500℃-800℃4加热温区段3-5段独立控温，（可依据实际生产工艺设计）5系统极限真空度≤5*10-4Pa
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1588 | 山东 |
一、产品用途及描述：主要应用于各类电子元件、金属制品、陶瓷制品、粉体材料等工件在气氛环境下焊接、烧结、钎焊、封装、退火等工艺的生产。一键启动自动完成工艺生产，多条工艺曲线的设定，方便调取使用。二、指标
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1757 | 山东 |
一、设备概述主要应用于各类电子元器件、二极管、整流桥、汽车电子等产品在石墨治具夹持下，结合锡膏、焊片等相关焊料在真空及气氛保护环境下进行烧结工艺的生产。如IGBT封装、焊膏工艺、激光二极管封装工艺、混
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1805 | 山东 |
一、产品用途主要应用于各类电子元器件、二极管、整流桥、汽车电子等产品在石墨治具夹持下，结合锡膏、焊片等相关焊料在真空及气氛保护环境下进行烧结工艺的生产。设备主要由加热系统、气路系统、冷却系统、传动系动
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1813 | 山东 |
一、产品用途主要应用于各类电子元器件、二极管、整流桥、汽车电子等产品在石墨治具夹持下，结合锡膏、焊片等相关焊料在真空及气氛保护环境下进行烧结工艺的生产。设备主要由加热系统、气路系统、冷却系统、传动系动
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1973 | 山东 |
主要应用于各类电子元器件、二极管、整流桥、汽车电子等产品通过加热并在气氛保护中进行烘干工艺的生产。
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1305 | 山东 |
设备性能指标1操作系统方向根据客户操作可定左/右手操作2额定温度700℃3工艺温度300℃-400℃4加热温区数量3-10区，（可依据实际生产工艺设计）5报警方式超温报警、断水报警、断气报警、链带打滑
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1667 | 山东 |
一、产品用途及描述：主要应用于各类电子元器件、二极管、整流桥、汽车电子等产品在石墨治具夹持下，结合锡膏、焊片等相关焊料在气氛保护中进行焊接工艺的生产。设备主要由加热系统、气路系统、冷却系统、传动系动、
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1512 | 山东 |
立式LPCVD低压化学气相淀积设备是半导体集成电路制造的重要工序之一，本设备主要用于：8-12英寸硅片SiO2-LTOTEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY
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1992 | 山东 |
一．设备概述：LPCVD低压化学气相淀积设备是半导体集成电路制造的重要工序之一，本设备主要用于：4-8英寸硅片SiO2-LTOTEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、
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1475 | 山东 |
合金工艺是在高温条件下，利用热合金原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成LED芯片结构的目的。可用于制作PN结构成LED发光芯片、集成电路中的电阻
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1410 | 山东 |
设备性能指标1操作方式立式2管路数1管3加工晶圆尺寸6-12寸4适用工艺扩散（镓扩）、玻璃钝化（GPP）、退火、合金5温度校准功能具有自动校准温区功能，具有预先写入偏差值快速拉温区功能（选配）
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1462 | 山东 |
设备性能指标1操作方式立式2管路数1管3加工晶圆尺寸6-12寸4适用工艺扩散（磷扩、硼扩）、氧化、退火、合金、铝预沉积5温度校准功能具有自动校准温区功能，具有预先写入偏差值快速拉温区功能6控温模式Sp
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1412 | 山东 |
设备性能指标1操作方式根据客户操作可定左/右手操作2管路数1-4管3加工晶圆尺寸4-8寸4适用工艺扩散（镓扩）、玻璃钝化（GPP）、退火、合金5温度校准功能具有自动校准温区功能，具有预先写入偏差值快速
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1340 | 山东 |
一、设备概述：卧式退火炉设备可应用于集成电路、分立器件、POWER、MEMS等多种领域，适用于4-8英寸晶圆芯片的氧化、扩散、GPP、退火、合金等工艺。
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1236 | 山东 |
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