共找到359612条产品，分17981页，当前第1084页
产品图片
展品信息+公司
关注度
产地
给我留言
激光共聚焦显微镜型号PTS-1000PTB-1000检测功能表面吸收表面吸收、体吸收检测模式反射式、透射式反射式、透射式最高吸收检测灵敏度≤100ppb检测波长266nm、355nm、532nm、10
|
1247 | 安徽 |
大口径元件缺陷多模态检测仪型号MMDI-2000-LA样品尺寸≤500mmx500mm检测模式激光散射、光热吸收、明场显微成像、暗场显微成像、激光共聚焦显微成像五种。可根据用户需求定制不同组合模式缺陷
|
1371 | 安徽 |
光学吸收测量仪(标准版)型号PTS-2000PTB-2000检测功能表面吸收表面吸收、体吸收检测模式反射式、透射式反射式、透射式最高吸收检测灵敏度≤10ppb检测波长266nm、355nm、532nm
|
1145 | 安徽 |
大口径元件散射缺陷检测仪型号LSDI-2000-LALSDI-3000-C检测方式全自动全自动检测灵敏度≤200nm≤500nm样品类型平面球面、非球面样品尺寸≤500mmx500mmx80mm(Lx
|
1222 | 安徽 |
激光共聚焦显微镜型号LCM-2000成像方式共聚焦+彩色成像最大视场1600μmx1600μm@5X横向分辨率150nm纵向分辨率10nm单次测量最大图像4096x4096XY载物台100mmx100
|
1594 | 安徽 |
大口径元件吸收缺陷检测仪型号PTM-2000-LA检测灵敏度≤10ppb检测波长355nm、532nm、1064nm或定制波长空间分辨率≤10um样品尺寸≤500mmx500mm(LxW)或客户订制光
|
1268 | 安徽 |
意德机械（安丘）生产的超微粉碎机通过转子的高速旋转，利用研磨、剪切的形式来实现干性物料超微粉的设备，使原料在粉碎腔内快速破碎?来完成工作的。联系人：1866-0657-617许超微粉碎机类型：1.气流
|
877 | 山东潍坊 |
光学透反射率测量仪型号HTR-1000测量光束波长355nm、527nm、1053nm或其他定制波长测试光偏振度>30dB扫描口径≤100mmx100mm(LxW)透射率及反射率测量误差≤5x1
|
1091 | 安徽 |
亚表面缺陷检测仪型号SSDI-2000检测灵敏度≤200nm横向分辨率≤300nm纵向分辨率≤1μm最大样品尺寸100mmx100mm,或根据客户需求定制*注：可根据用户需求，提供同类特制系统。
|
1353 | 安徽 |
产品介绍多模态表面缺陷检测仪(MMDI-2000)，结合全口径缺陷快速识别与子孔径高灵敏度、高分辨率显微成像的检测方式，对表面缺陷尺度、位置、形态进行统计分析，并可结合使用光热弱吸收、显微成像等不同模
|
1220 | 安徽 |
产品介绍铌(钽)酸锂缺陷检测设备(NOVA-2000-LN)，是用于铌酸锂、钽酸锂等衬底晶圆的缺陷检测设备，可兼容黑化、半黑化、全透明等不同工艺类型，可检出颗粒物、划痕、凹坑、凸起、崩边、裂纹等缺陷，
|
1241 | 安徽 |
玻璃晶圆缺陷检测设备型号NOVA-2000-G晶圆类型玻璃晶圆衬底、图形晶圆晶圆尺寸4寸、6寸、8寸、12寸(可兼容相邻尺寸)检测方式明场、暗场、微分干涉分辨率10μm-0.5μm镜头1X,2X5X,
|
1408 | 安徽 |
图形晶圆缺陷检测设备型号AMMI-2000晶圆尺寸200mm/300mm晶圆类型SemiStandards、MEMS、Glass、Thin、Warped、Taiko、Frame检测方式2D测量检测模式
|
1261 | 安徽 |
碳化硅缺陷检测仪型号NOVA-2000晶圆SiC衬底，外延片尺寸4寸，6寸，8寸检测效率10WPH(6寸)上下料方式全自动，2Loadport，1Robot环境温度20℃~25℃环境湿度40%~60%
|
1123 | 安徽 |
平面元件缺陷检测设备产品介绍平面元件缺陷检测设备(AOSI-4000F)，主要用于平面光学元件的全自动外观质量检测，该设备自动化程度高、批量上料、自动传送、智能检测，根据检测结果智能分选，并生成每个元
|
1237 | 安徽 |
半自动智能透镜外观检测仪(OSI-4000S)，主要用于光学透镜的外观质量检测，具有整盘上下料、自动检测、标准选择或自定义、自动判断OK/NG、结果输出等功能。设备配备特殊设计的光学检测系统，针对透镜
|
1460 | 安徽 |
多光谱智能透镜外观检测仪型号AOSI-4000S样品类型球面、非球面典型样品尺寸[1]Ф5mm~Ф20mm最大检测效率2400pcs/h(@Ф10mm，40/20)上下料方式全自动上下料，接口可定制典
|
1440 | 安徽 |
设备性能指标1操作方式手动2管路数1管3加工晶圆尺寸4-6寸4适用工艺VGF/VB工艺5控温精度±0.2℃/＞1280℃恒温区内6控温模式Spike控温+Profile串级控温7控制系统结构一体工控机
|
1493 | 山东 |
设备性能指标1操作方式手动2管路数1管3加工晶圆尺寸4-6寸4适用工艺多晶合成5工艺温度范围800-1250℃6恒温区长度300-800mm7控温精度±0.2℃/＞1280℃恒温区内8单点温度稳定性±
|
1865 | 山东 |
一、设备概述：主要应用于3-6英寸磷化铟、磷化镓III-V族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。二、设备参数类型：设备性能指标1操作方式手动2管路数1管3加工晶圆尺寸4-6寸4适用工艺单晶
|
2346 | 山东 |
最新发布产品