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棉花烘干风道加热器主要用于风道中的空气加热,规格分低温、中温、高温三种形式,在结构上的共同之处是采用了用钢板支撑电热管以减少风机停止时电热管的振动,在接线盒中都装有超温控制装置。低温型可直接安装在风道
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1030 | 江苏 |
产品技术参数:产品名称天然二硫化钼单晶MoS2货号RDB-DJ-001性质半导体晶体带隙块体MoS2间接带隙1.2eV,单层MoS2直接带隙1.8eV参数尺寸:~10mm-30mm应用半导体电子器件,
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1531 | 上海 |
产品技术参数:产品名称大尺寸硒化亚锡晶体SnSe货号RDB-DJ-002性质半导体晶体载流子浓度(室温)5.0x1017cm-3参数晶体尺寸~5mm*5mm8mm*8mm~10mm*10mm~15mm
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1397 | 上海 |
风道加热器主要用于风道中的空气加热,规格分低温、中温、高温三种形式,在结构上的共同之处是采用了用钢板支撑电热管以减少风机停止时电热管的振动,在接线盒中都装有超温控制装置。低温型可直接安装在风道上,而中
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1891 | 江苏 |
一、概述:是一种新型、节能、能提供高温热能的电加热器。二、特点及技术参数2.1产品特点本系统设备结构合理、配套齐全,安装周期短,操作运行简单,自动化程度高,可靠适用范围广。具有先进的运行控制和监制装置
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1267 | 江苏 |
应用范围:广泛应用于石油、化工、制药、纺织印染、轻工、建材等工业领域。功能特点:1、具有低压、高温、节能效率高的特点。2、具有完备的运行控制和安.全监测装置,可以准确地控制工作温度。3、结构合理、配套
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1347 | 江苏 |
产品技术参数:产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-087性质半导体晶体参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:>25mm2>35m
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1396 | 上海 |
产品技术参数:产品名称硒化铟晶体InSe货号RDB-DJ-003性质半导体晶体晶体结构β-Hexagonalsemiconductor参数晶体尺寸~5mm*5mm~8mm*8mm~10mm*10mm~
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1388 | 上海 |
卧式燃油(气)导热油炉本产品是以柴油、天然气、城市煤气燃料,燃烧器火焰体积和热交换表面积的平衡使排烟管道的出口烟气达到适合温度,特厚的保温层使锅炉散热达到低限度。所有型号的锅炉为组装锅炉,锅炉安装时只
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1983 | 江苏 |
产品技术参数:产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-088性质半导体晶体参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:>25mm2>35m
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1389 | 上海 |
概述:电加热导热油炉是一种新型、节能,低压(常压下或较低压力)并能提供高温热能的特种工业炉,以导热油为热载体,通过热油泵使热载体循环,将热量传递给用热设备。电加热导热油系统由防爆电加热器、有机热载体炉
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1084 | 江苏 |
产品技术参数:产品名称铋碲硫晶体-Bi2Te2S货号RDB-DJ-089性质拓扑绝缘体纯度>99.995%参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用电子器件,光学器件等研究产品规格:>2
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1446 | 上海 |
1、产品信息GaCl3是一种无色透明的结晶性固体,具有较高的熔点(77°C)和沸点(201°C)。它是一种强路易斯酸,在水中能形成酸性溶液,具有良好的溶解性。GaCl3具有很强的亲电性,易与多种元素和
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1666 | 上海 |
产品技术参数:产品名称铋二硒氧五晶体-Bi2SeO5货号RDB-DJ-090性质高K介电材料绝缘体纯度>99.995%参数尺寸:2-5mm应用电子器件,光学器件等研究产品规格:2-5mm扫描电子显微镜
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1416 | 上海 |
产品技术参数:产品名称三碲化二铋晶体-BirTe3货号RDB-DJ-004性质半导体晶体参数晶体尺寸:~5mm*5mm~8mm*8mm~10mm*10mm~15mm*12mm应用半导体电子器件,光学器
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1441 | 上海 |
产品技术参数:产品名称二硫化钼晶体-MoS2货号RDB-DJ-005性质半导体带隙块体MoS2间接带隙1.2eV,单层MoS2直接带隙1.8eV参数尺寸:~10mm-30mm应用半导体电子器件,光学器
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1393 | 上海 |
1、产品信息InCl3是一种重要的电子功能材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(586°C)和沸点(603°C),热稳定性较好。InCl3为强极性共价键化合物,在水中易溶解形成酸性溶液。此外,I
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1501 | 上海 |
1、产品信息货号平均粒径纯度(%)形貌颜色RDB-NM-Y2O340nm99.9球形白色或浅黄色RDB-NM-Y2O3200nm99.9球形黄色或浅黄色RDB-NM-Y2O31um99.9球形黄色或浅
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4283 | 上海 |
产品技术参数:产品名称二硒化钼晶体-MoSe2e货号RDB-DJ-006性质半导体晶体带隙单层MoSe2带隙约1.55eV参数尺寸:~5mm-8mm颜色:银灰色应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规
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1438 | 上海 |
产品技术参数:产品名称2H-二碲化钼晶体-2H-MoTe2货号RDB-DJ-007性质半导体晶体带隙块体接间带隙0.8eV,单层直接带隙1.24eV参数尺寸:~5-10mm颜色·黑色应用半导体电子器件
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1450 | 上海 |
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