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双组线压滤带最终用户和机器制造商依靠我们供应合成编织和螺旋滤波器腰带以满足工业和城市的需要从结实的带子提供出色的尺寸稳定性和性能优越的混合污泥的纤维,轻巧中学和消化污泥。不管什么特定的应用程序需求,我
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1320 | 欧洲 |
主要特点成型批量高效外圆磨削;加工工件的圆度、圆柱度精度高，尺寸一致性好;精磨后工件的表面光洁度好;适用于粗磨、半精磨和精密磨削。适用范围主要用于硬质合金、陶瓷、磁性材料、不锈钢棒材，PCDPCBN复
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1616 | 山东 |
金刚石树脂砂轮(树脂刀磨砂轮)可根据产品型号多款供选（平行砂轮、平行带弧砂轮、双面凹砂轮、双斜边砂轮、碗型砂轮）等。
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1544 | 山东 |
以高性能进口弹簧钢为基体，有电镀、金属、树脂结合剂三种，本切割砂轮具有强度高，寿命长，切削锋利等优点。金刚石切割砂轮主要用于各种非金属材料的切槽和切断加工，具体包括：1.半导体及其封装材料2.陶瓷材料
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1610 | 山东 |
产品特点/ProductCharacteristics：♦石墨烯薄膜产业化设备Graphenefilmindustrializationequipment♦宽幅卷对卷连续生长Wideroll-to-r
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1761 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦本系统是一套完备的石墨烯制备系统，包括硬件和软件部分Thissystemisacompletegraphenepreparationsystem,i
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1577 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦直拉法晶体生长专用设备，可实现在高压、真空和保护气氛下直拉生长晶体SpecialequipmentforCzochralskicrystalgrow
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1651 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦气相外延是一种单晶薄层生长方法Vaporphaseepitaxyisasinglecrystalthinlayergrowthmethod♦气相外延
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1994 | 山东 |
一．用途该款拉力机适用于寻求材料力与形变关系的实验，可对金属，非金属的原材料、加工件、成品进行拉伸、弯曲、剥离、压缩、压陷、附着力、撕裂等多项力学实验及分析。二：技术指标：1、试验载重：2KN2、有效
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3563 | 上海 |
CandlefilterBag式过滤机滤袋当处理溶剂、浓酸,或食品和奶制品的时候、我们的过滤介质产品提供高效过滤效率和优秀的滤饼卸饼性能•Extremelydrysolids极干固体•Improved
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1290 | 欧洲 |
产品概述/ProductIntroduction：♦主要用于半导体器件退火及烧结等工艺，可进行真空、气体保护等Mainlyusedforannealingandsinteringofsemicondu
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1698 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺Thiseq
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1732 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦PECVD主要应用于氧化硅(SiO₂)和氮化硅(SiN4)材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成
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1990 | 山东 |
扁平打褶过滤系统（工业和环保有效的粉尘解决途径）扁平空气过滤（CFE）是我公司新的发展方向，我们的CFE(扁平打褶过滤系统)具有领军的地位，我们的此种产品应用领域分布在：原始设备制造、汽车工业、土木工
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1420 | 欧洲 |
产品概述/ProductIntroduction：♦LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应
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1958 | 山东 |
概要：♦LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜，LPCVD过程是在
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1732 | 山东 |
产品概述/ProductIntroduction：♦主要用于4-8英寸砷化镓、磷化铟等化合物单晶生长Mainlyusedforsinglecrystalgrowthof4-8inchesofgalli
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1707 | 山东 |
本公司生产的合金砂轮（金刚石砂轮），磨削合金刀具、合金钻头、等硬质合金产品是具有寿命长，效率高，节约工时，不烧伤、不崩边等一系列优点，是您刀具加工产品优良制品的保证，我公司为厂家直销，产品具有粘接牢固
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1976 | 山东 |
技术指标/TechnicalIndicators：晶片尺寸:4/6英寸Wafersize:4/6inches工作温度范围:800-2000°CPeratingtemperaturerange:800-
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1688 | 山东 |
概要：♦专门用于硅碳化合物(SiC)的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性气体氧化炉♦设备适用于SiC基功率器件制造
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1608 | 山东 |
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