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感应式PVTAlN生长设备是自主研发的感应式加热炉，具有高稳定性、高真空度和精确控制系统的AlN晶体生长系统。。
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1806 | 辽宁 |
设备采用电阻加热及热场结构，温场均匀、稳定。内壁氩弧焊接，内表面镜面抛光，反射热量，减少功率损耗，减少气体附着。自主研发控制系统，实现自动化稳定、安全、操作便捷。技术参数生长工艺PVT生长尺寸6-8英
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1961 | 辽宁 |
电阻式PVTAlN生长设备是自主研发的电阻法加热晶体生长炉，具有高稳定性、高真空度和精确控制系统的AlN晶体生长系统，适用于商业化批量生长大尺寸AlN晶体，可实现AlN晶体的同质和异质外延生长。
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1679 | 辽宁 |
防爆堵头是一种重要的工业安全设备，用于防止爆炸和泄漏事故的发生。那么，防爆堵头哪里生产呢？。为了确保产品质量和安全性，建议选择有资质、有认证、有经验的正规厂家进行采购。同时，在使用防爆堵头时，还需要注
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892 | 乐清 |
HVPE生长系统是自主研发的一台功能强大，耐用，可靠的气相外延生长系统，适用于大尺寸、高质量商业化GaN的同质/异质外延生产。内置新研发的控制系统和多温区加热系统，支持配方功能，方便工艺参数调用及储存
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2030 | 辽宁 |
技术参数生长工艺HVPE法产品类型非标定制加热方式电阻式加热最高温度1100℃恒温区尺寸100mm控制方式PLC集成控制系统真空检漏漏率≤5.0×10-7Pa.l/S冷却方式循环水路系统
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1845 | 辽宁 |
采用高纯碳粉以及高纯硅粉，在高温1000℃以上合成的高纯碳化硅粉采用高纯碳粉以及高纯硅粉，在高温1000℃以上合成的高纯碳化硅粉
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1786 | 北京 |
主要用途：用于合成SiC晶体生长用的SiC粉料主要用途：用于合成SiC晶体生长用的SiC粉料
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1775 | 北京 |
主要特点电感加热式物理气相传输SiC生长炉双壁水冷石英管2英寸，100mm或150mm晶圆工艺高温计控制和电源控制，保证生长炉稳定运行自动PLC控制、带工艺、触屏、安全互锁/警报等功能远程监测和控制占
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1860 | 重庆 |
高密度等离子体5I500D具有优良的等离子体特性，例如高密度，低离子能量，沉积介质膜时低压强等。平板ICP等离子源SENTECH专有的平板三螺旋天线(PTSA)等离子源能实现高效低功率耦合。优良的沉积
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1528 | 重庆 |
纳米结构低损伤刻蚀由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。简单高速率刻蚀MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。内置ICP等离子
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1791 | 重庆 |
AJA从1991年成立以来已经研发了上百种不同类型的磁控溅射靶，其中包括许多定制化溅射靶。根据基片几何形状、腔室结构、靶材材料组成和薄膜规格的不同需求可选择不同型号溅射靶，如矩形，圆形，塔式和圆柱形独
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1687 | 重庆 |
AJA的ATC-B系列批量镀膜系统是定制化溅射和蒸发系统，可以处理小批量多种基片。根据用户不同需求，可选择圆柱腔体或箱式腔体结构。由于生长中材料不会落到基片或磁控溅射靶源里面(会造成短路和工艺中断)，
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1670 | 重庆 |
AJAIntemational的ATCOrion系列磁控溅射系统是ATCFlagship旗舰系列下的一款高性价比的紧凑型物理气相沉积设备。Orion系列的高真空和超高压真空溅射系统都沿用了许多ATC溅
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1724 | 重庆 |
主要特点经济型台式溅射系统可集成5个1.5英寸共溅射靶向上或向下溅射沉积均匀性+1-2.5%@3"(75mm)基片选配load-lock预真空室基片加热温度850℃℃，旋转速率0-40rpm
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1943 | 重庆 |
在高端制造与新能源技术高速发展的今天，高纯石墨碳棒作为半导体、新能源、航空航天等领域的核心材料，其性能与供应稳定性已成为产业竞争力的关键。信瑞达石墨公司（XinruidaGraphiteCo.,Ltd
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815 | 河南 |
硅微粉在艺术涂料中的应用可以显著改善其性能，特别是在透明度、硬度、耐磨性、光泽度和流变性能等方面。以下是一些硅微粉在艺术涂料中的具体性能特点：1.提高透明度特点：高纯度的硅微粉可以保持或提高涂料的透明
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1020 | 广东 |
主要生产销售产品包含等静压石墨、模压石墨、挤压石墨、碳/碳复合材料、SiC涂层、固体SiC、玻璃碳素、纯化石墨、浸渍石墨等，领域涉及到太阳能、半导体、光纤、LED、模具制造、热处理、玻璃工业等众多行业
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1840 | 辽宁 |
炉室冷却加热室开放及风扇冷却处理材料MIM或硬质合金成形体尾气处理2段过滤机燃烧装置
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1798 | 辽宁 |
真空烧结炉处理材料金属/陶瓷/石墨/硬质合金使用温度1250~24009C
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1904 | 辽宁 |
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