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核心团队由有着多年CAD/CAE/编译/EDA领域从业经验的专业人士构成，是ANSYS中国区白金级代理商，是PTC、Minitab、Pads、Ansa、Tasking、AMLER、Generator、
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1406 | 上海 |
半导体半导体（功耗噪声可靠性分析）半导体半导体（功耗噪声可靠性分析）
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3799 | 上海 |
材料仿真GRANTAMI™能够将可靠的材料数据与高层研究人员所拥有的材料知识、信息、经验结合，构建具有竞争力的材料数据库。
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1526 | 上海 |
一家专业提供IT产品、服务及解决方案的高科技公司。自成立以来，致力于向中国半导体行业、制造业、电子硬件研发、嵌入式软件开发、有限元分析、三维设计等行业用户提供信息化所需的(CAD/CAE/编译/EDA
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1486 | 上海 |
光学仿真AnsysOptics光学与光子学设计仿真软件集合。从微观至宏观的光学与多物理场耦合设计仿真集合及整体解决方案。AnsysOptics产品组合现在包括三个领跑的产品套件Lumerical，Ze
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1509 | 上海 |
电子设计（低频电磁仿真）AnsysMaxwell2D/3D是用于电机、作动器、电感、变压器、磁性元器件等各种机电产品开发的电磁场仿真工具。
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1575 | 上海 |
电子设计（高频电磁仿真）支持加速设计的电磁场、电路·系统仿真器和多物理场仿真软件尽在Ansys
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1542 | 上海 |
Ansys联合ESSS公司一同推出了AnsysRocky，该软件基于离散元模拟(DEM)方法，可以快速分析和评估各行各业中与颗粒运动相关的问题，研究设计时遇到流动、热以及结构相关的问题。
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1561 | 上海 |
AnsysWorkbench是多物理学科仿真的很好解决方案。作为新一代的集成操作环境，AnsysWorkbench把结构、传热、磁场、流体、跌落、冲击等全面的仿真功能融为一体，使耦合分析更加灵活、方便
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1779 | 上海 |
进口刀型闸阀是一种具有轻型、结构简单小巧、密封性能可靠、使用寿命长、具有切断介质等优点，其密封原理是通过闸板在关闭到底时，闸板斜切面碰到阀体上的锲块使得闸板紧靠密封面起到密封效果，并且闸板底部的斜切面
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1094 | 美国 |
碳化硅衬底的优点包括：1、高温、高压、高频、大功率应用：碳化硅具有较高的热导率、击穿电场强度和饱和电子漂移速率，使其成为制作高温、高压、高频、大功率器件的理想材料。2、优异的材料
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1803 | 浙江 |
主要应用于5G通信、雷达系统、导引头、卫星通信、战机等领域，具有提升射频范围、超远距离识别、抗干扰以及高速、大容量信息传递等应用优势，被视为制作微波功率器件最理想的衬底。高纯半绝缘碳化硅单晶衬底主要应
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1761 | 浙江 |
2英寸、4英寸、6英寸、8英寸碳化硅晶锭晶棒可定制10*10mm,20*20mm等多规格小方片，切1mm、1.5mm等厚度，晶锭厚度>20mm。
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1540 | 浙江 |
技术优势晶体利用率高，成本低品质达到P-MOS级采用PVT长晶法籽晶粘结成功率接近100%平均生长速度0.13-0.16mm/h长晶良率高于行业水平加工良率达到90%有效的降低了单片成本。SiC晶锭一
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1599 | 浙江 |
2英寸导电型碳化硅衬底2英寸导电型碳化硅衬底2英寸导电型碳化硅衬底2英寸导电型碳化硅衬底
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1443 | 江苏 |
产品介绍利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiCIGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求主要指标晶型：4H/6H-P型尺寸：99.5~100mm145.
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1721 | 浙江 |
低缺陷密度控制技术技术团队依靠多年的外延工艺经验和现阶段的技术开发，不断优化和迭代自有碳化硅外延技术，同时针对不同厂家的衬底进行开发，在不同厂家的衬底进行的外延生长均能实现低缺陷密度，为器件的可靠性提
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1872 | 江苏 |
主要指标晶型：3C尺寸：50.8±0.38mm2英寸、4英寸、6英寸非标尺寸：10*10mm,20*20mm,其它按需定制。厚度：350±25μm微管密度：＜0.1cm-2电阻率≤0.0006Ω∙cm
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1730 | 浙江 |
液相法衬底产品介绍3CN型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100cm2/V∙s；4H-SiC，900cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小
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1946 | 江苏 |
我们主要提供5N、6N、7N碳化硅粉料用于第三代半导体导电型、半绝缘型碳化硅单晶的生长，粒径可实现百微米到毫米级精准控制，产品纯度可达99.99999%，氮含量根据需求可以选择不同含量区间类型。
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1656 | 江苏 |
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